内置可调栅极电阻的IGBT版图结构
授权
摘要
本实用新型提供了内置可调栅极电阻的IGBT版图结构，包括：IGBT芯片基板；终端区域，位于所述IGBT芯片基板上；元胞沟槽，位于所述终端区域内部；栅极跑道，用于连接所述元胞沟槽；第一栅极金属，覆盖于所述栅极跑道上；连接孔，用于连接所述第一栅极金属和所述栅极跑道；第一栅极金属压焊点，用于引出栅极电位；栅极电阻区域，与所述栅极跑道连接；其中，所述栅极电阻区域包括至少三个子区域，每个所述子区域为根据第一栅极金属压焊点的位置设置的子区域，每个子区域包括第一子区域和第二子区域。通过本实用新型可以提高IGBT的均流特性，从而利于并联使用。
基本信息
专利标题 ：
内置可调栅极电阻的IGBT版图结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202220216917.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2022-01-26
授权号 ：
CN216749899U
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
程炜涛姚阳
申请人 ：
上海埃积半导体有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区郭守敬路498号8幢19号楼3层
代理机构 ：
上海硕力知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
杨用玲
优先权 ：
CN202220216917.5
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02 H01L29/739
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-06-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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