一种半导体栅极的制备方法
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摘要
本发明涉及一种半导体栅极的制备方法。一种半导体栅极的制备方法，包括：在半导体衬底形成栅极沟槽；在所述栅极沟槽的底壁和侧壁上依次形成氧化层、阻挡层，所述阻挡层为氮化钛；然后对所述阻挡层进行等离子处理，所述等离子处理采用的气体源至少含有氨气；之后填充金属栅极。本发明能够去除氮化钛TiN沉积和RTN处理过程中产生的氧、氯等杂质，降低栅极电阻，避免因晶体管温度升高引发的器件不良。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体栅极的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628246A
申请号 ：
CN202011452881.2
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-12-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李相遇安重镒高建峰刘卫兵项金娟
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 ：
金铭
优先权 ：
CN202011452881.2
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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