一种半导体栅极结构及其制作方法
公开
摘要
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体栅极结构及其制作方法，该方法包括：在衬底上形成栅极沟槽；在该栅极沟槽内壁形成栅介质层；在栅介质层上形成堆叠的多层金属阻挡层，每层金属阻挡层包括依次形成的TiN层和TiON层；在所述多层金属阻挡层上形成金属栅，采用堆叠形成TiN层和TiON层的多层金属阻挡层，不仅使得该金属阻挡层的厚度足够薄，同时，还能提高阻挡性能，以免在形成金属栅时产生的含氟气体对栅介质层造成侵蚀和破坏，进而提高了器件性能。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体栅极结构及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114597124A
申请号 ：
CN202011415788.4
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2020-12-04
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朴相荣高建峰刘卫兵白国斌项金娟
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京华沛德权律师事务所
代理人 ：
房德权
优先权 ：
CN202011415788.4
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28 H01L27/108 H01L29/423 H01L29/49
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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