一种新型高频半导体栅极的制作方法
授权
摘要
本发明公开了一种新型高频半导体栅极的制作方法，包括：选取势垒层；在势垒层上形成夹层结构，其中，夹层结构自下而上依次包括：第一光刻胶层、第一金属层、第二光刻胶层和第二金属层；光刻夹层结构后形成第一结构；对第一结构进行显影后形成具有T形凹槽的T形凹槽结构；在T形凹槽结构的表面淀积栅金属层后形成第二结构；对第二结构进行剥离后形成浮空T形栅。本发明通过第一金属层来避免两种光刻胶之间互溶层的形成，从而将栅脚与栅头分离，第二金属层作为阻挡层，易于栅金属的剥离，且第一金属层、第二金属层释放电子束光刻中剩余的电荷，对曝光图形不影响，由此得到形貌规整的T形栅，可以更好的减小寄生电容从而提高饱和电流截止频率fT。
基本信息
专利标题 ：
一种新型高频半导体栅极的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110571143A
申请号 ：
CN201910677856.5
公开（公告）日 ：
2019-12-13
申请日 ：
2019-07-25
授权号 ：
CN110571143B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
张鹏孙保全马晓华宓珉翰
申请人 ：
西安电子科技大学
申请人地址 ：
陕西省西安市太白南路2号
代理机构 ：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张捷
优先权 ：
CN201910677856.5
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2020-01-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/28
申请日 : 20190725
申请日 : 20190725
2019-12-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
