绝缘栅极半导体器件及其生产方法
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摘要
本发明的目的在于提供一种获得高击穿电压和紧凑性的绝缘栅极型半导体器件及其生产方法。半导体器件(100)具有形成在单元区域中的多个栅极沟槽(21)和P浮置区域(51)，并且具有形成在接线区域中的多个接线沟槽(62)和P浮置沟槽(53)。另外，三个接线沟槽(62)(接线沟槽621、622、623)中的接线沟槽(62)具有类似于栅极沟槽(21)的结构，并且其它接线沟槽填充有诸如氧化硅的绝缘物质。另外，P浮置区域(51)是从栅极沟槽(21)的底表面注入杂质而形成的区域，并且P浮置区域(53)是从接线沟槽(62)的底表面注入杂质而形成的区域。
基本信息
专利标题 ：
绝缘栅极半导体器件及其生产方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101048874A
申请号 ：
CN200580036986.7
公开（公告）日 ：
2007-10-03
申请日 ：
2005-09-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
高谷秀史滨田公守宫城恭辅大仓康嗣黑柳晃户仓规仁
申请人 ：
丰田自动车株式会社
申请人地址 ：
日本爱知县
代理机构 ：
北京东方亿思知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
柳春雷
优先权 ：
CN200580036986.7
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/739 H01L21/336 H01L21/331 H01L29/06
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法律状态
2009-04-08 ：
授权
2007-11-28 ：
实质审查的生效
2007-10-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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