具有超顺电性栅极绝缘体的半导体器件

授权

摘要

一种半导体器件，包括半导体的沟道区18、与沟道区18相邻的导电栅电极12、以及导电栅电极12和沟道区18之间的栅极电介质10。栅极电介质10由处于超顺电性状态的材料形成，该材料在体材料中是铁电性。例如，栅极电介质可以是化学式为AXO₃的材料，其中A是I或II族元素，而X是钛、铌、锆和/或铪。这种栅极电介质10例如可以通过栅极电介质10的低温沉积、或通过使用金属氧化物掺杂剂以防止畴生长、或者使用这两者来形成。

基本信息

专利标题：

具有超顺电性栅极绝缘体的半导体器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101084581A

申请号：

CN200580043631.0

公开（公告）日：

2007-12-05

申请日：

2005-12-13

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

古川裕希子科内利斯·A·H·A·穆特塞尔斯

申请人：

皇家飞利浦电子股份有限公司

申请人地址：

荷兰艾恩德霍芬

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

陈瑞丰

优先权：

CN200580043631.0

主分类号：

H01L29/51

IPC分类号：

H01L29/51