具有纳米管浮动栅极的非易失性存储晶体管

发明专利申请公布后的视为撤回

摘要

本发明揭示非易失性存储晶体管(51)，其具有：半导体衬底(11)，所述半导体衬底(11)具有界定一沟道的相间的源极(37)与漏极(39)区；隧道氧化物层13)，其位于所述沟道上面；及碳纳米管导电层(31)，其位于所述隧道氧化物上面。在图案化过程中，形成台面(35)，以保留纳米管的所需位置作为浮动栅极。所述台面用于对源极和漏极电极进行自对准植入。作为多孔随机排列的铺垫层沉积的纳米管使得能够将支撑层蚀刻移除，以使纳米管直接倚靠在隧道氧化物上。使用绝缘材料(55)保护纳米管，并将导电控制栅极(57)置于纳米管浮动栅极层上。

基本信息

专利标题：

具有纳米管浮动栅极的非易失性存储晶体管

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101151733A

申请号：

CN200680010524.2

公开（公告）日：

2008-03-26

申请日：

2006-02-08

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

博胡米尔·洛耶克

申请人：

爱特梅尔公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司

代理人：

孟锐

优先权：

CN200680010524.2

主分类号：

H01L29/788

IPC分类号：

H01L29/788