具有新型栅极连接结构的功率模块
专利权的终止
摘要
本实用新型公开了一种具有新型栅极连接结构的功率模块。所述功率模块包括正极金属片、负极金属片、输出金属片、第一MOSFET芯片、第一二极管芯片、栅极连接结构、第二MOSFET芯片、第二二极管芯片；栅极连接结构材质由导电材质制成；所述功率模块将功率电路和栅极控制电路完全分开，减少了功率电路和栅极控制电路间的相互影响。
基本信息
专利标题 ：
具有新型栅极连接结构的功率模块
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920526152.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-04-18
授权号 ：
CN209471963U
授权日 ：
2019-10-08
发明人 ：
熊露婧曾正程临颍张玉琛
申请人 ：
重庆大学
申请人地址 ：
重庆市沙坪坝区沙正街174号
代理机构 ：
重庆市前沿专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
孔祥超
优先权 ：
CN201920526152.3
主分类号 ：
H01L25/18
IPC分类号 ：
H01L25/18 H01L23/492
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/18
包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个同一大组的不同小组内的类型的器件
法律状态
2021-03-30 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 25/18
申请日 : 20190418
授权公告日 : 20191008
终止日期 : 20200418
申请日 : 20190418
授权公告日 : 20191008
终止日期 : 20200418
2019-10-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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