择优取向的氮化铝薄膜的制备方法
实质审查的生效
摘要
本申请公开了一种择优取向的氮化铝薄膜的制备方法，该择优取向的氮化铝薄膜的制备方法包括：提供一Si(111)衬底；将Si(111)衬底依次置入丙酮、酒精和去离子水中进行超声波水浴清洗，并将超声波水浴清洗后的Si(111)衬底置入氟化氢溶液中浸泡；将浸泡后的Si(111)衬底置入磁控溅射仪腔室中，并对磁控溅射仪腔室进行抽真空处理；将Si(111)衬底的温度提升至预设温度，并向磁控溅射仪腔室通入氮气和氩气；利用预设铝靶对Si(111)衬底进行溅射处理，以在Si(111)衬底生成AlN(110)薄膜。通过本方案可以制备择优取向的AlN(110)薄膜，进而提高声表面波器件的性能。
基本信息
专利标题 ：
择优取向的氮化铝薄膜的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114481026A
申请号 ：
CN202210072472.2
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
罗景庭郭峰李志琼付琛陶然
申请人 ：
深圳大学
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区南海大道3688号
代理机构 ：
深圳市创富知识产权代理有限公司
代理人 ：
曾敬
优先权 ：
CN202210072472.2
主分类号 ：
C23C14/06
IPC分类号 ：
C23C14/06 C23C14/35 C23C14/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/06
以镀层材料为特征的
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/06
申请日 : 20220121
申请日 : 20220121
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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