本实用新型涉及一种用于快速制备氮化镓薄膜的装置，真空室内安装有中频磁控溅射装置和阳极层离子源，设有旋转基片架，基片架接有负偏压和加热控制系统。磁控溅射靶池接中频开关电源，靶池内装有液态镓，受靶池背面水冷却而变成固体。阳极层离子源水平安装且与磁控溅射靶平行，配备有可调电源，阳极层离子源通过导磁板安装有内阴极、外阴极、阳极、外极靴与内极靴。中频磁控溅射装置和阳极层离子源的结合，使镀膜区的等离子体密度大幅度提高，快速沉积氮化镓，同时增强氮化镓与基片材料的附着力，最终快速完成氮化镓薄膜制备。本装置最适合用于需在较低温度下完成的平板薄膜、晶体管显示器以及太阳电池等器件的氮化镓薄膜制备。