一种高结晶质量的氮化铪薄膜制备方法及应用
授权
摘要
本发明公开了一种高结晶质量的氮化铪薄膜制备方法，包括：1、对硅衬底进行高温烘烤；2、降低硅衬底温度，通入溅射气体氩气，在第一反溅射功率下对硅衬底进行反溅射干式清洗；3、在第二溅射功率下对金属铪靶材进行射频磁控溅射预处理；4、在第三溅射功率下采用射频磁控溅射在硅衬底表面预沉积薄金属铪层；5、通入反应气体氮气与溅射气体氩气形成混合气体，在第四反溅射功率下采用反溅射形成薄氮化铪成核层；6、在第五溅射功率下采用直流磁控溅射进行氮化铪薄膜沉积生长；7、停止通入溅射气体氩气，在氮气气氛下对氮化铪薄膜高温退火；8、将硅衬底温度降至室温。该方法能够在硅衬底上实现高结晶质量的氮化铪薄膜的制备。
基本信息
专利标题 ：
一种高结晶质量的氮化铪薄膜制备方法及应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112831768A
申请号 ：
CN202110003038.4
公开（公告）日 ：
2021-05-25
申请日 ：
2021-01-04
授权号 ：
CN112831768B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
魏洁陈怀浩杨少延魏鸿源高洁
申请人 ：
南京佑天金属科技有限公司;中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
江苏省南京市江宁区谷里街道工业集中区庆缘北路116号
代理机构 ：
南京苏高专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
常虹
优先权 ：
CN202110003038.4
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C23C14/16 C23C14/06 C23C14/02 C23C14/58 C23C14/54
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2021-06-11 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/35
申请日 : 20210104
申请日 : 20210104
2021-05-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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