一种透明疏水的氮化硼薄膜制备方法
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
摘要
本发明属材料的表面物理化学领域。现有无机材料疏水性的研究，主要是用非晶碳薄膜，但难实现良好的透明性，且化学稳定性不如氮化硼薄膜。一种透明疏水的氮化硼薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤：用常规气相沉积方法在作为基底的固体表面上沉积一层氮化硼薄膜，厚度在0.2微米到2.5微米的范围；然后将真空室中充入氩气，并控制工作气压在0.2～4.0Pa，施加射频电磁场，射频功率在50～200W，利用气体分子电离所产生的离子的对薄膜表面进行刻蚀，刻蚀时间控制在5～30分钟。为了提高刻蚀效果，可充入体积百分比为15％～80％的含氟气体。本发明的氮化硼薄膜表面不仅具有良好的疏水性能，并保持良好的透明性，适用于在需要透明、防雾、防水及易清洁的固体表面处理。
基本信息
专利标题 ：
一种透明疏水的氮化硼薄膜制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1760407A
申请号 ：
CN200510114853.9
公开（公告）日 ：
2006-04-19
申请日 ：
2005-11-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王波李国星宋雪梅严辉汪浩朱满康侯育冬王如志张铭
申请人 ：
北京工业大学
申请人地址 ：
100022北京市朝阳区平乐园100号
代理机构 ：
北京思海天达知识产权代理有限公司
代理人 ：
张慧
优先权 ：
CN200510114853.9
主分类号 ：
C23C28/00
IPC分类号 ：
C23C28/00 C23C14/00 C23C16/34 C23F4/04
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C28/00
用不包含在C23C2/00至C23C26/00各大组中单一组的方法，或用包含在C23C小类的方法与C25D小类中方法的组合以获得至少二层叠加层的镀覆
法律状态
2010-01-13 ：
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2007-11-07 ：
授权
2006-06-07 ：
实质审查的生效
2006-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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