一种高质量GaAs单晶合成装置
实质审查的生效
摘要
本申请涉及单晶合成的领域，涉及一种高质量GaAs单晶合成装置，其包括设置于主炉室与副炉室之间的密封盘与密封罩，密封盘与主炉室、副炉室转动连接，且用于分隔主炉室与副炉室，密封罩罩设在密封盘外周，且密封罩内填充有惰性气体。本申请具有主炉室与副炉室进行了两道有效的密封，密封罩在密封盘内进一步进行气体密封，有效阻隔外界空气进入，使得主炉室内保持惰性气体填充与恒压，确保合成GaAs单晶的质量的效果。
基本信息
专利标题 ：
一种高质量GaAs单晶合成装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114481315A
申请号 ：
CN202210145465.0
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-02-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朱永生刘春宝
申请人 ：
北京通美晶体技术股份有限公司
申请人地址 ：
北京市通州区工业开发区东二街4号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210145465.0
主分类号 ：
C30B27/00
IPC分类号 ：
C30B27/00 C30B29/42
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B27/00
保护流体下的单晶生长
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 27/00
申请日 : 20220217
申请日 : 20220217
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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