一种用于制作高质量铸锭单晶的新型热场
授权
摘要
本实用新型公开一种用于制作高质量铸锭单晶的新型热场，包括坩埚、隔热板以及侧加热器；其中，所述隔热板设置在所述坩埚外且将坩埚围住，所述侧加热器通过连接板设置在坩埚的外侧，所述侧加热器的宽度为220‑240mm，所述连接板设置在隔热板的内侧；所述坩埚的底部设有热交换块，该热交换块的侧部设有护毡，且该热交换块的顶部与侧加热器的距离为150‑160mm；所述隔热板的底部边缘处设有挡火条，该挡火条与热交换块的水平距离为15‑25mm。本实用新型有效地降低单晶硅的位错密度和侧部长晶，减少顶部缺陷，提高了铸锭单晶比例。
基本信息
专利标题 ：
一种用于制作高质量铸锭单晶的新型热场
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921081013.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-10
授权号 ：
CN210620995U
授权日 ：
2020-05-26
发明人 ：
唐青岗周绪成甄良欣张亮孙海龙
申请人 ：
深圳市石金科技股份有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区松岗街道同富裕工业区安润路2号
代理机构 ：
广州市华学知识产权代理有限公司
代理人 ：
罗伟富
优先权 ：
CN201921081013.0
主分类号 ：
C30B29/06
IPC分类号 ：
C30B29/06 C30B11/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
硅
法律状态
2020-05-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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