一种YAG单晶包层制备方法及装置

授权

摘要

本说明书实施例提供一种YAG单晶包层制备方法，包括：将YAG原料和助溶剂置于生长腔体内；通过温控组件的加热部件加热生长腔体，使生长腔体内部形成至少三个温度区间，至少三个温度区间至少包括从下至上依次相邻的溶解区、包层生长区和缓冲区，其中，溶解区、包层生长区和缓冲区分别对应第一轴向温度梯度、第二轴向温度梯度和第三轴向温度梯度；第一轴向温度梯度＞第三轴向温度梯度＞第二轴向温度梯度，将掺杂YAG单晶光纤浸没于包层生长区，以及基于YAG原料和掺杂YAG单晶光纤，在掺杂YAG单晶光纤表面生长YAG单晶包层。

基本信息

专利标题：

一种YAG单晶包层制备方法及装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113308737A

申请号：

CN202110569428.8

公开（公告）日：

2021-08-27

申请日：

2021-05-25

授权号：

CN113308737B

授权日：

2022-04-19

发明人：

王宇顾鹏梁振兴

申请人：

眉山博雅新材料有限公司

申请人地址：

四川省眉山市东坡区金象化工产业园区君乐路3号

代理机构：

成都七星天知识产权代理有限公司

代理人：

严芳芳

优先权：

CN202110569428.8

主分类号：

C30B29/28

IPC分类号：

C30B29/28 C30B9/12 G02B6/02

IPC结构图谱

C部——化学；冶金

C30

晶体生长

C30B

单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置

C30B29/00

以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料

C30B29/10

无机化合物或组合物

C30B29/16

氧化物

C30B29/22

复合氧化物

C30B29/28

分子式为A3Me5O12的，其中A为稀土金属，Me为Fe、Ga、Sc、Cr、Co或Al，例如石榴石

法律状态

2022-04-19 ：

授权

2022-04-05 ：

著录事项变更

IPC(主分类) : C30B 29/28
变更事项 : 申请人
变更前 : 眉山博雅新材料有限公司
变更后 : 眉山博雅新材料股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 620010 四川省眉山市东坡区金象化工产业园区君乐路3号
变更后 : 620010 四川省眉山市东坡区金象化工产业园区君乐路3号

2021-09-14 ：

实质审查的生效

IPC(主分类) : C30B 29/28
申请日 : 20210525

2021-08-27 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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