一种测定单层二硫化钼弯曲刚度的分子动力学方法
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摘要

本发明提供了一种测定单层二硫化钼弯曲刚度的分子动力学方法,属于计算二维纳米材料技术领域。首先建立所需尺寸的单层二硫化钼分子的平板结构模型,然后通过坐标映射的方法,将该尺寸的平板结构映射成不同曲率的管状结构模型,然后对其施加环向约束,以保证其构型约束在映射后固有的曲率下,通过分子动力学模拟统计出该模型在不同曲率下的应变能密度,并做出应变能密度与曲率平方曲线图,取其曲率小于0.1nm‑1的小变形区域拟合得到弯曲刚度。通过计算不同特征尺寸在不同边界进行弯曲的几组模型,结果展示单层二硫化钼沿不同边界进行弯曲其弯曲刚度变化趋势不同的边界效应,以及随着特征尺寸的增加,其弯曲刚度逐渐趋于一致的尺寸效应。

基本信息
专利标题 :
一种测定单层二硫化钼弯曲刚度的分子动力学方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN110010207A
申请号 :
CN201910276587.1
公开(公告)日 :
2019-07-12
申请日 :
2019-04-08
授权号 :
CN110010207B
授权日 :
2022-05-13
发明人 :
李东叶宏飞
申请人 :
大连理工大学
申请人地址 :
辽宁省大连市甘井子区凌工路2号
代理机构 :
大连理工大学专利中心
代理人 :
温福雪
优先权 :
CN201910276587.1
主分类号 :
G16C10/00
IPC分类号 :
G16C10/00  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G16
特别适用于特定应用领域的信息通信技术
G16C
计算化学;化学信息学; 计算材料科学
G16C10/00
计算理论化学,例如特别适用于量子化学、分子力学、分子动力学等的理论方面的ICT
法律状态
2022-05-13 :
授权
2019-08-06 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G16C 10/00
申请日 : 20190408
2019-07-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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