本发明公开了MPCVD法单晶金刚石制造装置及其制造方法，涉及金刚石制造技术领域，包括金刚石生长室、微波发生器、波导管、等离子体释放阀、金刚石衬底和样品台，微波发生器通过波导管连接等离子体释放阀，金刚石衬底固定在样品台上，等离子体释放阀和金刚石衬底均位于金刚石生长室内，等离子体释放阀位于金刚石衬底的正上方，还包括衬底处理室和水冷循环机构，衬底处理室与金刚石生长室之间设置有密封组件，衬底处理室内设置有衬底处理机构，样品台一侧连接有升降组件，水冷循环机构内设置有水循环组件；以及与水循环组件连接的第一循环管和第二循环管，所述水循环组件安装在第一壳体内，样品台、第一循环管和第二循环管均安装在升降组件上。