本公开实施例公开了一种半导体结构的形成方法，所述形成方法包括：提供衬底，所述衬底的表面具有至少一个空隙结构，所述空隙结构具有底表面和侧壁；沉积工艺，所述沉积工艺包括在所述衬底的所述侧壁和所述底表面上形成薄膜；刻蚀工艺，所述刻蚀工艺包括去除所述侧壁上的薄膜和部分所述底表面上的薄膜；依序地且重复地执行所述沉积工艺和所述刻蚀工艺，直到薄膜自下向上形成预定厚度。通过循环执行沉积工艺和刻蚀工艺，抑制侧壁上薄膜的生长，持续保持底表面上薄膜的沉积，从而做到自下往上的沉积效果，减少或避免常规沉积中易出现的空洞与缝隙。