铜镶嵌结构的制作方法
授权
摘要
本发明公开一种铜镶嵌结构的制作方法，其包含提供一介电层，接着形成一镶嵌孔洞于介电层中，然后进行一沉积制作工艺以形成一铜金属层填入镶嵌孔洞并且覆盖介电层的上表面，之后进行一研磨制作工艺以移除在镶嵌孔洞之外的铜金属层，在研磨制作工艺之后，进行一修复制作工艺以修复铜金属层，其中修复制作工艺包含将铜金属层放置在压力1.25托耳、温度介于摄氏350至410度之间、通入氢气和氮气的混合气体的一反应室中进行修复制作工艺，其中氢气和氮气的混合气体的氢气和氮气的流量比值介于0.3至0.61之间，修复制作工艺的时间介于60至180秒之间。
基本信息
专利标题 ：
铜镶嵌结构的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113611656A
申请号 ：
CN202010876138.3
公开（公告）日 ：
2021-11-05
申请日 ：
2020-08-27
授权号 ：
CN113611656B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
吴杰龙高峰谈文毅
申请人 ：
联芯集成电路制造(厦门)有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市翔安区万家春路899号
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN202010876138.3
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2021-11-23 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20200827
申请日 : 20200827
2021-11-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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