一种先通孔双镶嵌的制作方法
公开
摘要
本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种先通孔双镶嵌方法，包括以下步骤：在半导体衬底的介质层内形成连接孔通孔；在所述介质层的上方以及连接孔通孔内形成水溶性聚合物层；在所述水溶性聚合物层上依次形成硬掩膜层旋涂硬掩膜层、底部抗反射层以及光刻胶图案；执行光刻、刻蚀工艺，以在所述通孔的上方形成与通孔连通的沟槽；在所述通孔以及所述沟槽内填充Cu。
基本信息
专利标题 ：
一种先通孔双镶嵌的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628317A
申请号 ：
CN202011443168.1
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-12-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李大烨南兑浩周娜李俊杰李琳王佳
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 ：
金铭
优先权 ：
CN202011443168.1
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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