具有超低铜残留半导通孔多层板的制作方法
公开
摘要
本发明涉及一种具有超低铜残留半导通孔多层板的制作方法，包括以下步骤：开料与烘烤、内层线路、压合、外层钻孔、沉铜电镀、第一次树脂塞孔及研磨、二次钻靶、深度钻孔、第一次去除铜残留、第二次去除铜残留、第二次树脂塞孔及研磨、返沉铜、外层线路、阻焊和电镀镍金，本发明中利用特殊的蚀刻药水对盲孔进行两次去铜残留处理，因此制作出的多层板的半导通孔具有超低铜残留，满足了高频电路产品的需求。
基本信息
专利标题 ：
具有超低铜残留半导通孔多层板的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114302561A
申请号 ：
CN202111493436.5
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
马洪伟姜寿福
申请人 ：
江苏普诺威电子股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市昆山市千灯镇宏洋路322号
代理机构 ：
昆山中际国创知识产权代理有限公司
代理人 ：
孙海燕
优先权 ：
CN202111493436.5
主分类号 ：
H05K3/00
IPC分类号 ：
H05K3/00 H05K3/06 H05K3/22 H05K3/46 C23C28/02 C25D5/12 C25D7/00
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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