基于高纵横比选择性半导通孔多层板的制作方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种基于高纵横比选择性半导通孔多层板的制作方法，包括如下步骤：开料与烘烤、内层线路、压合、外层钻孔、沉铜电镀、第一次树脂塞孔及研磨、二次钻靶、多次深度钻孔、微蚀、第二次树脂塞孔及研磨、返沉铜、外层线路、阻焊和电镀镍金，本发明在制作过程中对多层板进行分堆后多次深度钻孔而形成深度不一的盲孔。通过本制作方法制得的多层板中的半导通孔具有高纵横比且能够实现多层间选择性导通，使得多层板设计更加合理、空间利用率高。
基本信息
专利标题 ：
基于高纵横比选择性半导通孔多层板的制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114340223A
申请号 ：
CN202111493430.8
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
马洪伟姜寿福
申请人 ：
江苏普诺威电子股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市昆山市千灯镇宏洋路322号
代理机构 ：
昆山中际国创知识产权代理有限公司
代理人 ：
孙海燕
优先权 ：
CN202111493430.8
主分类号 ：
H05K3/46
IPC分类号 ：
H05K3/46 H05K3/00 H05K3/42
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H05K 3/46
申请日 : 20211208
申请日 : 20211208
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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