利用电镀保护层同时并选择性分割通孔结构
授权
摘要
本发明公开了用于通过利用PCB层叠内的电镀保护层将多个通孔结构同时分割为电绝缘部分的系统和方法。这种通孔结构是通过在子复合结构中的一个或多个位置内选择性地沉积电镀保护层形成。在不同的位置上沉积的多个具有电镀保护层的子复合结构被层压以形成所期望的PCB设计的PCB层叠。通过导电层、介电层以及通过电镀保护层钻取穿过PCB层叠的穿通孔。由此，PCB板具有多个穿通孔，另一通过将PCB板放置到籽晶槽同时电镀多个穿通孔，随后浸入到非电解铜槽中。这种分割的通孔提高了线缆密度并且限制了通孔结构中的短线形成。这种分割的通孔使得大量的电信号能够传送到每个电绝缘部分而不相互干扰。
基本信息
专利标题 ：
利用电镀保护层同时并选择性分割通孔结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101133478A
申请号 ：
CN200680007139.2
公开（公告）日 ：
2008-02-27
申请日 ：
2006-03-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
小乔治·杜尼科夫
申请人 ：
三米拉－惜爱公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
董莘
优先权 ：
CN200680007139.2
主分类号 ：
H01L21/311
IPC分类号 ：
H01L21/311 H01L23/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105
后处理
H01L21/311
绝缘层的刻蚀
法律状态
2010-02-03 ：
授权
2008-04-30 ：
实质审查的生效
2008-02-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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