半导体结构及其形成方法

授权

摘要

本发明涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：形成一基底，所述基底包括衬底以及覆盖于所述衬底表面的介质层，所述介质层表面包括器件区域和标记区域，所述标记区域具有贯穿所述介质层的通孔以及填充于所述通孔内并覆盖于所述介质层表面的套刻层，所述器件区域具有覆盖于所述介质层表面的器件层；遮盖所述套刻层并图案化所述器件层，形成初始器件结构；图案化所述套刻层及所述初始器件结构，于所述标记区域形成套刻标记、并同时于所述器件区域形成器件结构，所述套刻标记的顶面与所述介质层的顶面平齐。本发明避免了套刻标记易出现过刻蚀的问题，确保了套刻标记的完整性。

基本信息

专利标题：

半导体结构及其形成方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN112825315A

申请号：

CN201911141019.7

公开（公告）日：

2021-05-21

申请日：

2019-11-20

授权号：

CN112825315B

授权日：

2022-04-12

发明人：

黄玉辉王盼盼

申请人：

长鑫存储技术有限公司

申请人地址：

安徽省合肥市蜀山区经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室

代理机构：

上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

孙佳胤

优先权：

CN201911141019.7

主分类号：

H01L23/544

IPC分类号：

H01L23/544 H01L21/311