半导体结构的形成方法
实质审查的生效
摘要
一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括标记区以及器件区；在所述衬底上形成第一掩膜结构，所述第一掩膜结构内具有暴露出部分所述标记区的第一掩膜开口、以及暴露出部分所述器件区的第二掩膜开口；刻蚀所述第一掩膜开口底部的衬底，在所述标记区内形成第一开口；在所述第一开口内形成对位结构；刻蚀所述第二掩膜开口底部的衬底，在所述器件区内形成第二开口；在第二开口内形成隔离结构。所述半导体结构的形成方法简化了深沟槽结构与对位标记的形成工艺，从而提升了半导体制备工艺的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构的形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334822A
申请号 ：
CN202111556552.7
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李佳龙范晓
申请人 ：
华虹半导体（无锡）有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区新洲路30号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
唐嘉
优先权 ：
CN202111556552.7
主分类号 ：
H01L21/8234
IPC分类号 ：
H01L21/8234 H01L23/544
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/77
在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理
H01L21/78
把衬底连续地分成多个独立的器件
H01L21/82
制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822
衬底是采用硅工艺的半导体的
H01L21/8232
场效应工艺
H01L21/8234
MIS工艺
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/8234
申请日 : 20211217
申请日 : 20211217
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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