重布线结构及其形成方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种重布线结构及重布线结构的形成方法，包括：在衬底上形成彼此电性绝缘的第一重布线层与第一补偿线路层，所述第一补偿线路层环绕在所述第一重布线层的周围；在所述第一重布线层与所述第一补偿线路层上形成第一介电层；以及在所述第一介电层上形成彼此电性绝缘的第二重布线层与第二补偿线路层，所述第二补偿线路层环绕在所述第二重布线层的周围，所述第二补偿线路层与所述第一补偿线路层连接，且所述第二重布线层与所述第一重布线层连接。
基本信息
专利标题 ：
重布线结构及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496909A
申请号 ：
CN202110016793.6
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-01-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郭书玮杨镇在郑惟元朱建勋郑少斐
申请人 ：
财团法人工业技术研究院
申请人地址 ：
中国台湾新竹县
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN202110016793.6
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L23/538
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20210107
申请日 : 20210107
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
