互连结构及其形成方法

专利权的终止

摘要

本发明提供了一种位于其中嵌有至少一个导电特征的低k介质材料的表面上的硬掩模。该硬掩模包括相邻于低k介质材料的密封氧化物材料的下区域和位于所述密封氧化物材料上的包括Si、C和H原子的上区域。本发明还提供了制造本发明硬掩模的方法以及形成包括该硬掩模的互连结构的方法。

基本信息

专利标题：

互连结构及其形成方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1783479A

申请号：

CN200510117378.0

公开（公告）日：

2006-06-07

申请日：

2005-11-03

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

S·V·源M·莱恩S·M·盖茨刘小虎V·J·麦加海伊S·C·梅赫塔T·M·肖

申请人：

国际商业机器公司

申请人地址：

美国纽约

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

于静

优先权：

CN200510117378.0

主分类号：

H01L23/522

IPC分类号：

H01L23/522 H01L21/768

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L23/00

半导体或其他固态器件的零部件

H01L23/52

用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置

H01L23/522

包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的

法律状态

2020-10-23 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 23/522
申请日 : 20051103
授权公告日 : 20080514
终止日期 : 20191103

2017-11-17 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 23/522
登记生效日 : 20171031
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 国际商业机器公司
变更后权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 美国纽约

2017-11-17 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 23/522
登记生效日 : 20171031
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更后权利人 : 格芯公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 开曼群岛大开曼岛

2008-05-14 ：

授权

2006-08-02 ：

实质审查的生效

2006-06-07 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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