熔丝结构及形成方法
实质审查的生效
摘要
本发明实施例提供一种熔丝结构及形成方法，其中，熔丝结构包括：第一电介质层，以及贯穿所述第一电介质层的至少两个分立的第一导电插塞；第二导电插塞，所述第二导电插塞电连接至少两个所述第一导电插塞；顶层金属层，所述顶层金属层电连接所述第二导电插塞，且位于所述第二导电插塞远离所述第一导电插塞的一侧；第二电介质层，所述第二电介质层位于所述第一电介质层顶部，且所述第二导电插塞以及所述顶层金属层位于所述第二电介质层内。本发明实施例简化了熔丝结构，提升了熔丝结构的产出效率。
基本信息
专利标题 ：
熔丝结构及形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334902A
申请号 ：
CN202011086700.9
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-10-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王蒙蒙黄信斌
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
成丽杰
优先权 ：
CN202011086700.9
主分类号 ：
H01L23/525
IPC分类号 ：
H01L23/525 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
H01L23/525
具有可适用互连装置的
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/525
申请日 : 20201012
申请日 : 20201012
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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