反熔丝结构及其制作方法、反熔丝阵列、存储装置
公开
摘要
本公开提供一种反熔丝结构及其制作方法、反熔丝阵列、存储装置。该反熔丝结构包括：基底，包括第一掺杂区和第二掺杂区；第一栅极和第二栅极，位于基底上，且第一栅极和第二栅极位于第一掺杂区的两侧，第二栅极位于第一掺杂区和第二掺杂区之间；隔离材料层，位于基底上，覆盖第一栅极、第二栅极和基底；空气间隙，在垂直于基底的方向上位于第一掺杂区和隔离材料层之间，且空气间隙向第一掺杂区延伸。本公开通过在第一栅极和第二栅极之间形成空气间隙，增大分压距离，降低耦合作用的影响，减小寄生电容，可有效防止在对第一栅极相关器件进行操作过程中可能对第二栅极相关器件造成的损伤。
基本信息
专利标题 ：
反熔丝结构及其制作方法、反熔丝阵列、存储装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582835A
申请号 ：
CN202210478057.7
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-05-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄金荣
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司;长鑫集电（北京）存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
北京名华博信知识产权代理有限公司
代理人 ：
李俊红
优先权 ：
CN202210478057.7
主分类号 ：
H01L23/525
IPC分类号 ：
H01L23/525 H01L21/768 H01L27/112
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
H01L23/525
具有可适用互连装置的
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
