一种提高体声波滤波器制备良率的方法和结构

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摘要

本发明提出了一种提高体声波滤波器制备良率的方法和结构。所述结构包括基体、布拉格反射层、矩形支撑柱，阶梯支撑柱、底电极、种子层和五边形顶电极；所述矩形支撑柱和阶梯支撑柱均设置在基体上表面两侧，并且，所述矩形支撑柱和阶梯支撑柱与所述基体上表面形成的凹槽内设置有三对结构的布拉格反射层；所述布拉格反射层的上表面设置有底电极，并且，所述底电极的上引部分沿着所述阶梯支撑柱的阶梯表面延伸至所述阶梯支撑柱的上表面；所述种子层延伸至所述矩形支撑柱的上表面；所述种子层上方设置压电层；所述压电层上方设置有三区域结构的五边形顶电极。

基本信息

专利标题：

一种提高体声波滤波器制备良率的方法和结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113965182A

申请号：

CN202111584010.0

公开（公告）日：

2022-01-21

申请日：

2021-12-23

授权号：

CN113965182B

授权日：

2022-04-01

发明人：

不公告发明人

申请人：

深圳新声半导体有限公司

申请人地址：

广东省深圳市南山区高新南一道中科大厦508

代理机构：

代理人：

优先权：

CN202111584010.0

主分类号：

H03H3/02

IPC分类号：

H03H3/02 H03H9/02 H03H9/56 H03H9/58