无图形晶圆的良率损失获取系统及获取方法
公开
摘要
本发明提供一种无图形晶圆的良率损失获取系统。所述系统中，获取单元获取第一文件和第二文件，第一文件包括无图形晶圆表面的缺陷分布信息，第二文件包括一有图形晶圆的芯片分布信息，有图形晶圆与无图形晶圆的规格相同；整合单元整合缺陷分布信息与芯片分布信息得到一目标文件；处理单元以芯片分布信息作为芯片分布模板，利用目标文件统计得到无图形晶圆对应的缺陷芯片数量，并且基于芯片分布模板中的芯片总数量、无图形晶圆对应的缺陷芯片数量以及设定缺陷致死率，计算所述无图形晶圆的良率损失。如此，无需经过光刻和刻蚀制程便可获得无图形晶圆的良率损失，有助于节约时间和成本。本发明还提供一种无图形晶圆的良率损失获取方法。
基本信息
专利标题 ：
无图形晶圆的良率损失获取系统及获取方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300377A
申请号 ：
CN202210229247.5
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2022-03-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
甄福强张东杰蔡俊郎
申请人 ：
晶芯成（北京）科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司
申请人地址 ：
北京市大兴区北京经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54
代理机构 ：
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
周耀君
优先权 ：
CN202210229247.5
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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