一种半导体晶圆表面研磨保护片
授权
摘要
本实用新型公开了一种半导体晶圆表面研磨保护片，包含基材；所述基材上设置有中间层；所述中间层上设置有表面黏着层；所述基材由聚酯类、聚醯胺类材料制成，所述基材的厚度为1‑1000um；所述中间层为一种热塑性的固体高分子聚合物，其维卡软化点温度测试，按ASTM D1525标准在0.45MPa施加压力下软化温度为50‑80℃；所述表面黏着层由丙烯酸类或聚氨酯类聚合物及其共聚物制成；本实用新型所述的半导体晶圆表面研磨保护片在半导体晶圆研磨时提供良好的凹凸吸收保护，防止损坏半导体晶圆。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体晶圆表面研磨保护片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020070363.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-14
授权号 ：
CN212527324U
授权日 ：
2021-02-12
发明人 ：
武玄庆李朝发朱天
申请人 ：
苏州东福电子科技股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市吴中区东山镇凤凰山路11号
代理机构 ：
苏州大智知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王军
优先权 ：
CN202020070363.3
主分类号 ：
B24B37/34
IPC分类号 ：
B24B37/34 B24B55/00
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B24
磨削；抛光
B24B
用于磨削或抛光的机床、装置或工艺（用电蚀入B23H；磨料或有关喷射入B24C；电解浸蚀或电解抛光入C25F3/00；磨具磨损表面的修理或调节；磨削，抛光剂或研磨剂的进给
B24B37/00
研磨机床或装置；附件
B24B37/34
附件
法律状态
2021-02-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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