半导体结构、圆片以及圆片测试装置
授权
摘要
本申请公开了一种半导体结构、圆片以及圆片测试装置，该半导体结构包括：衬底；沟道层，衬底上；势垒层，位于沟道层上；栅结构，位于势垒层上，用于接收预设电压以导通所述沟道层；第一隔离层，位于沟道层上，并围绕势垒层；以及第二隔离层，位于第一隔离层上，并围绕所述栅结构，其中，势垒层的表面具有依次相邻并相互分隔的第一区域、第二区域、第三区域以及第四区域，栅结构具有多个开口，多个开口分别暴露第一区域、第二区域、第三区域以及第四区域，该半导体结构用于测试外延层的电学参数。
基本信息
专利标题 ：
半导体结构、圆片以及圆片测试装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020819324.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-15
授权号 ：
CN212461604U
授权日 ：
2021-02-02
发明人 ：
肖金平逯永建闻永祥贾利芳
申请人 ：
杭州士兰集成电路有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市杭州经济技术开发区10号大街（东）308号
代理机构 ：
北京成创同维知识产权代理有限公司
代理人 ：
蔡纯
优先权 ：
CN202020819324.9
主分类号 ：
H01L21/66
IPC分类号 ：
H01L21/66 H01L29/778
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/66
在制造或处理过程中的测试或测量
法律状态
2021-02-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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