本发明公开了一种电感耦合装置和半导体处理设备。包括射频电源、第一匹配器、介质窗以及与所述介质窗连接的射频线圈，所述射频线圈的输入端经由所述第一匹配器与所述射频电源电连接，所述电感耦合装置还包括电流导流件；所述电流导流件用于与所述工艺腔室的等离子体产生区域直接接触并接地，以导出所述射频线圈产生的容性电流。通过所设置的电流导流件，可以将射频线圈所产生容性电流导走，可以减弱或消除射频线圈所产生的容性电流对偏压源的影响，实现解耦合。此外，还可以减小射频线圈容性耦合产生的高能离子对晶片的损伤，同时还能够提高该电感耦合装置工艺性能的可控性。