半导体处理设备及其控制方法
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摘要

该发明公开了一种半导体处理设备及其控制方法,所述半导体处理设备包括主转盘,所述主转盘的表面设有多个托盘槽;主转轴,所述主转轴与所述主转盘相连以驱动所述主转盘沿第一方向转动;多个用于承载晶圆的子转盘,所述子转盘沿第二方向可转动地设在所述托盘槽内且随所述主转盘沿第一方向作圆周运动,所述第一方向与所述第二方向转向相反;第一高度调节装置,所述第一高度调节装置与所述子转盘相连,以用于调节所述子转盘上晶圆的高度。由此根据本发明实施例的半导体处理设备能够提高晶圆表面镀膜或刻蚀均匀度。

基本信息
专利标题 :
半导体处理设备及其控制方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN113178374A
申请号 :
CN202110428937.9
公开(公告)日 :
2021-07-27
申请日 :
2021-04-21
授权号 :
CN113178374B
授权日 :
2022-06-10
发明人 :
于超群张丽霞
申请人 :
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 :
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 :
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
孙佳胤
优先权 :
CN202110428937.9
主分类号 :
H01J37/32
IPC分类号 :
H01J37/32  C23C16/458  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管,例如为了对其检验或加工的
H01J37/32
充气放电管
法律状态
2022-06-10 :
授权
2021-08-13 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01J 37/32
申请日 : 20210421
2021-07-27 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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