气体自动控制节能系统和半导体处理设备
授权
摘要

一种气体自动控制节能系统和半导体处理设备,所述气体自动控制节能系统包括:储气罐,所述储气罐一端用于连通至反应腔室;分流装置,所述分流装置包括第一端口、第二端口以及第三端口,所述第一端口通过管路连通至所述储气罐,所述第二端口通过管路连通至一反应装置,所述第三端口通过管路连通至气体产生装置;反应装置,包括第四端口和第五端口,所述第四端口通过管路连通至所述分流装置,用于使所述分流装置输入至所述反应装置内的气体进行反应,产生产物气体,所述第五端口用于输出所述产物气体;气体产生装置,与所述第三端口连接,用于产生气体并输出至所述反应装置内。上述气体自动控制节能系统能够降低功耗,节约成本。

基本信息
专利标题 :
气体自动控制节能系统和半导体处理设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920956883.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-06-24
授权号 :
CN209981180U
授权日 :
2020-01-21
发明人 :
李文强俞雷林宗贤
申请人 :
德淮半导体有限公司
申请人地址 :
江苏省淮安市淮阴区长江东路599号
代理机构 :
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
孙佳胤
优先权 :
CN201920956883.1
主分类号 :
H01L21/67
IPC分类号 :
H01L21/67  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-01-21 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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