对半导体工件进行处理的半导体设备及方法
实质审查的生效
摘要
提供一种对半导体工件进行处理的半导体设备及方法。用于对半导体工件进行预润的半导体设备包括：工艺腔室、设置在工艺腔室内以固持半导体工件的工件固持器、设置在工艺腔室外且容纳预润流体的预润流体槽、以及耦接到预润流体槽且延伸到工艺腔室中的导管。导管将预润流体经由导管的出口从预润流体槽递送出以润湿半导体工件的主表面，主表面包括多个凹陷部分。
基本信息
专利标题 ：
对半导体工件进行处理的半导体设备及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334638A
申请号 ：
CN202110269864.3
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-03-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
蔡承祐杨固峰邱文智
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号（邮递区号30078）
代理机构 ：
北京派特恩知识产权代理有限公司
代理人 ：
薛恒
优先权 ：
CN202110269864.3
主分类号 ：
H01L21/288
IPC分类号 ：
H01L21/288 C25D7/12 C25D5/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
H01L21/283
用于电极的导电材料或绝缘材料的沉积
H01L21/288
液体的沉积，例如，电解沉积
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/288
申请日 : 20210312
申请日 : 20210312
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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