对半导体材料进行热处理的设备及其使用方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明推荐一种对半导体材料进行处理的工艺方法和设备，它包括一隔热、全封闭加热的作业合，称之为“闭合”工艺，采用一种紧凑的炉体结构，在工艺过程一开始，作业室中就存有限定的工艺保护气氛，并能防止气体反向弥散，还采用带有可调的面间可冲洗的双管系统，即，采用所谓风冷“快速箱”。本发明特别适用于对半导体片进行氧化、扩散、淀积和热处理。
基本信息
专利标题 ：
对半导体材料进行热处理的设备及其使用方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1036296A
申请号 ：
CN89101544.2
公开（公告）日 ：
1989-10-11
申请日 ：
1989-02-11
授权号 ：
CN1018111B
授权日 ：
1992-09-02
发明人 ：
海因里希·索尔布兰德
申请人 ：
海因里希·索尔布兰德
申请人地址 ：
联邦德国慕尼黑
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
何培硕
优先权 ：
CN89101544.2
主分类号 ：
H01L21/324
IPC分类号 ：
H01L21/324 H01L21/205 C30B31/10 C30B31/12 F27D3/12
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/324
用于改善半导体材料性能的热处理，例如退火、烧结
法律状态
1999-04-07 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1993-10-13 ：
授权
1992-09-02 ：
审定
1991-05-22 ：
实质审查请求已生效的专利申请
1989-10-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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