偏压控制方法及装置、半导体加工设备
授权
摘要
本发明提供一种偏压控制方法及装置、半导体加工设备，该方法包括：实时采集下电极上的射频偏压的模拟信号；将射频偏压的模拟信号转换为数字信号；对数字信号进行处理，以获得射频偏压的幅值检测值和相位检测值；将幅值检测值和相位检测值分别与预设的幅值设定值和相位设定值进行比较，并根据各自的比较结果分别控制与所述下电极电连接的偏压电源的功率输出值和相位输出值，本发明提供的偏压控制方法及装置、半导体加工设备的技术方案，既可以提高控制偏压电源输出功率大小的精确性，又可以更精确地控制晶片上方的离子能量，从而可以进一步保证工艺结果一致性。
基本信息
专利标题 ：
偏压控制方法及装置、半导体加工设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110752137A
申请号 ：
CN201911059873.9
公开（公告）日 ：
2020-02-04
申请日 ：
2019-11-01
授权号 ：
CN110752137B
授权日 ：
2022-04-22
发明人 ：
卫晶韦刚
申请人 ：
北京北方华创微电子装备有限公司
申请人地址 ：
北京市北京经济技术开发区文昌大道8号
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
彭瑞欣
优先权 ：
CN201911059873.9
主分类号 ：
H01J37/32
IPC分类号 ：
H01J37/32 H01L21/67
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/32
充气放电管
法律状态
2022-04-22 ：
授权
2020-02-28 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01J 37/32
申请日 : 20191101
申请日 : 20191101
2020-02-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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