感测半导体存储器件反偏压电平的电路
专利权的视为放弃
摘要
用于半导体器件中的一个反偏电平传感器，其中用以感测反偏电压(VBB)的感测电流(I50)被防止直接流入衬底(或反偏电压端子)。一个PMOS晶体管(50)的栅极被提供以该反偏电压，而其源极被提供以地电压，在反偏电压(VBB)低于预定电压电平时，一个泵电路(300)执行泵激操作从而增大反偏电压。反之，解除对泵电路(300)的激励，从而减小反偏电压。
基本信息
专利标题 ：
感测半导体存储器件反偏压电平的电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1067773A
申请号 ：
CN91110773.8
公开（公告）日 ：
1993-01-06
申请日 ：
1991-11-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李永宅韩真晚金敬昊黄泓善
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道水原市
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
程天正
优先权 ：
CN91110773.8
主分类号 ：
H03L1/00
IPC分类号 ：
H03L1/00 H03K3/02 G05F1/10
法律状态
1996-02-14 ：
专利权的视为放弃
1994-05-25 ：
实质审查请求的生效
1993-01-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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