半导体存储器件的感测放大电路
实质审查的生效
摘要

本申请公开了半导体存储器件的感测放大电路。根据本公开的实施例,该半导体存储器件包括:位线感测放大器,其耦接在上拉电压线与下拉电压线之间,并且适用于通过顺序地执行预充电操作、偏移消除操作、电荷共享操作和放大操作来感测第一位线与第二位线之间的电压差,其中所述位线感测放大器在电荷共享操作期间依据所述第一位线的电压电平来对所述第二位线的电压电平进行预偏置;以及驱动电路,其适用于在所述偏移消除操作、所述电荷共享操作和所述放大操作期间向所述上拉电压线和所述下拉电压线供应操作电压。

基本信息
专利标题 :
半导体存储器件的感测放大电路
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114512165A
申请号 :
CN202110509803.X
公开(公告)日 :
2022-05-17
申请日 :
2021-05-11
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
金锡珉
申请人 :
爱思开海力士有限公司
申请人地址 :
韩国京畿道
代理机构 :
北京弘权知识产权代理有限公司
代理人 :
许伟群
优先权 :
CN202110509803.X
主分类号 :
G11C11/4091
IPC分类号 :
G11C11/4091  G11C11/4093  G11C11/4096  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C11/08
应用多孔存储元件的,例如:应用多孔磁芯存储器;应用把几个单独的多孔存储元件合并起来的板
G11C11/21
应用电元件的
G11C11/34
应用半导体器件的
G11C11/40
应用晶体管的
G11C11/401
形成需要刷新或电荷再生的单元的,即,动态单元的
G11C11/4063
辅助电路,例如,用于寻址、译码、驱动、写、读出或定时的
G11C11/407
用于场效应型存储单元的
G11C11/409
读写电路
G11C11/4091
读出或读出/刷新放大器,或相关的读出电路,例如用于耦合位线预充电、均衡或隔离的
法律状态
2022-06-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 11/4091
申请日 : 20210511
2022-05-17 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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