均衡电路结构及其制造方法、感测放大及存储电路结构
实质审查的生效
摘要
本申请涉及一种均衡电路结构及其制造方法、感测放大电路结构及存储电路结构。其中，均衡电路结构，包括：半导体衬底，包括均衡有源区；栅极层，包括栅极图形以及电源线，栅极图形位于均衡有源区上，用于与均衡有源区形成晶体管单元，电源线电连接均衡有源区与外部电源，用于为晶体管单元提供电源。本申请实施例可以有效降低走线层工艺制作难度。
基本信息
专利标题 ：
均衡电路结构及其制造方法、感测放大及存储电路结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114373734A
申请号 ：
CN202210022775.3
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2022-01-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
赵阳车载龙
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
郭凤杰
优先权 ：
CN202210022775.3
主分类号 ：
H01L23/522
IPC分类号 ：
H01L23/522 G11C7/12 H01L23/528 H01L23/538
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/522
申请日 : 20220110
申请日 : 20220110
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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