导电电路制造方法
专利权的终止
摘要
本发明提供一种用于选择性形成化学镀的金属层的新方法,所述方法能够在不导电基材表面上没有镀覆掩模层的情况下,选择性形成处于预期的电路图案形状的化学镀的金属层,其已经以粘合层的表面和形成的镀金属层直接接触的形式形成各种形状。该方法包括使用固化型粘合剂树脂在不导电基材表面上安置粘合层,使组件处于平均粒子大小为1至200nm的金属细粒在粘合层表面上以高的面积密度密集暴露的状态,将与电路图案的形状对应的区域暴露于光化辐照,将不导电基材进行成形,然后将不导电基材进行化学镀,从而可以只在光化辐照暴露区域中选择性形成化学镀的金属层,并且可以将化学镀的金属层通过粘合层高粘附性地固定到不导电基材表面上。
基本信息
专利标题 :
导电电路制造方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101243205A
申请号 :
CN200680030102.1
公开(公告)日 :
2008-08-13
申请日 :
2006-02-08
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
寺田信人吉原理津子松叶赖重
申请人 :
播磨化成株式会社
申请人地址 :
日本兵库县
代理机构 :
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 :
王旭
优先权 :
CN200680030102.1
主分类号 :
C23C18/20
IPC分类号 :
C23C18/20 H05K3/18
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18/00
通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆;接触镀
C23C18/16
还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18/18
待镀材料的预处理
C23C18/20
有机物表面,例如树脂的
法律状态
2016-03-23 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101652168688
IPC(主分类) : C23C 18/20
专利号 : ZL2006800301021
申请日 : 20060208
授权公告日 : 20101229
终止日期 : 20150208
号牌文件序号 : 101652168688
IPC(主分类) : C23C 18/20
专利号 : ZL2006800301021
申请日 : 20060208
授权公告日 : 20101229
终止日期 : 20150208
2010-12-29 :
授权
2008-10-08 :
实质审查的生效
2008-08-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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