导电结构及其制造方法
公开
摘要
本发明提供一种导电结构的制造方法，包含：对一基板进行一钻孔步骤，以在所述基板形成至少一通孔；对所述基板进行一清洗步骤；在所述基板上、下表面与所述至少一通孔内形成一固化的导电材料，其中所述固化的导电材料自所述基板上、下表面延伸至所述至少一通孔内，且填满所述至少一通孔；对所述基板进行一第一电镀制程，以形成一第一增厚层完全包覆所述固化的导电材料；对所述基板进行一第二电镀制程，以形成一第二增厚层完全包覆所述第一增厚层；以及对所述基板进行一黑化制程，以形成一黑化层完全包覆所述第二增厚层。
基本信息
专利标题 ：
导电结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613724A
申请号 ：
CN202210202880.5
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-03-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈俊铭
申请人 ：
业成科技（成都）有限公司;业成光电（深圳）有限公司;业成光电（无锡）有限公司;英特盛科技股份有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市高新区西区合作路689号
代理机构 ：
成都希盛知识产权代理有限公司
代理人 ：
李蓉
优先权 ：
CN202210202880.5
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L23/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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