用于制造透明导电膜的方法
授权
摘要
根据本申请的一个示例性实施方案的制造透明导电膜的方法包括准备基底；以及在所述基底上形成包含由式1表示的化合物的薄膜，其中薄膜的形成通过在250℃或更低的温度下的RF溅射工艺来进行。
基本信息
专利标题 ：
用于制造透明导电膜的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111225993A
申请号 ：
CN201880067001.4
公开（公告）日 ：
2020-06-02
申请日 ：
2018-11-13
授权号 ：
CN111225993B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
申东明文钟敏
申请人 ：
株式会社LG化学
申请人地址 ：
韩国首尔
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
梁笑
优先权 ：
CN201880067001.4
主分类号 ：
C23C14/08
IPC分类号 ：
C23C14/08 C23C14/34 H01B5/14 H01B13/00
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/06
以镀层材料为特征的
C23C14/08
氧化物
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2020-06-26 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/08
申请日 : 20181113
申请日 : 20181113
2020-06-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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