具有ITO透明导电膜的基板及其制造方法

专利权的终止

摘要

一种通过离子电镀装置在基板上形成ITO透明导电膜的方法，包括步骤：(a)从压力梯度型等离子体枪在真空室中产生等离子束；(b)用该等离子束照射ITO源，以加热和蒸发该ITO源；(c)通过等离子体气氛将该蒸发的ITO源离子化；和(d)在该基板上沉积该离子化的ITO源，以在该基板上形成该ITO透明导电膜。该方法特征在于，至少在步骤(d)期间，将该基板的温度调整到80－145℃，以及至少在步骤(d)期间，将每单位时间和每单位面积从该ITO源入射到该基板上的辐射热调整到1.5－10.0J/cm²□min的范围。所得到的ITO透明导电膜具有从1.2×10^－4到3.0×10^－4Ω□cm的电阻率。

基本信息

专利标题：

具有ITO透明导电膜的基板及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1800439A

申请号：

CN200510048899.5

公开（公告）日：

2006-07-12

申请日：

2005-11-25

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

大本英雄高松敦小林孝司

申请人：

中央硝子株式会社

申请人地址：

日本山口县

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

陈季壮

优先权：

CN200510048899.5

主分类号：

C23C14/28

IPC分类号：

C23C14/28 C23C14/54 C23C14/08