半导体器件及其制造方法和透明导电薄膜的制造方法
专利权的终止
摘要
根据一种透明导电薄膜的制造方法，用溅射法，在室温下形成ＩＴＯ（铟锡氧化物）薄膜之后，在氢气氛中，在适当温度下，比如在高于２００℃的温度下，对薄膜进行退火处理。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件及其制造方法和透明导电薄膜的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1089756A
申请号 ：
CN93116561.X
公开（公告）日 ：
1994-07-20
申请日 ：
1993-07-21
授权号 ：
CN1051878C
授权日 ：
2000-04-26
发明人 ：
村上茜宫崎稔崔葆春
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
肖掬昌
优先权 ：
CN93116561.X
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/324 H01B5/14
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2013-09-11 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101517322025
IPC(主分类) : H01L 21/02
专利号 : ZL93116561X
申请日 : 19930721
授权公告日 : 20000426
终止日期 : 20120721
号牌文件序号 : 101517322025
IPC(主分类) : H01L 21/02
专利号 : ZL93116561X
申请日 : 19930721
授权公告日 : 20000426
终止日期 : 20120721
2000-04-26 ：
授权
1995-11-22 ：
实质审查请求的生效
1994-07-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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