导电结构及其制造方法
公开
摘要
一种导电结构包含基板、两抗反射层、两导电干膜、导电连通柱以及两黑化层。两抗反射层分别位于基板之相反两表面上，且两相反表面各暴露出一部分。两导电干膜分别设置于两抗反射层远离基板的一侧。导电连通柱穿越基板，并具有两端分别延伸至两导电干膜。两黑化层分别覆盖两导电干膜，其中两导电干膜的每一者由对应之抗反射层与对应之黑化层包覆。藉由本揭露的导电结构，即可达成金属细线路、无反射光以及无层间叠片刮伤的功效。
基本信息
专利标题 ：
导电结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613741A
申请号 ：
CN202210202906.6
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-03-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈秉扬陈俊铭陈志源
申请人 ：
业成科技（成都）有限公司;业成光电（深圳）有限公司;业成光电（无锡）有限公司;英特盛科技股份有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市高新区西区合作路689号
代理机构 ：
成都希盛知识产权代理有限公司
代理人 ：
张行知
优先权 ：
CN202210202906.6
主分类号 ：
H01L23/48
IPC分类号 ：
H01L23/48 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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