导电性柱、接合结构、电子设备及导电性柱的制造方法
公开
摘要
本发明提供一种可经由接合层将基材与被接合构件以高接合强度接合的导电性柱及其制造方法。具体而言，制成如下导电性柱1，包含设置于基材11上的金属微粒的烧结体12，金属微粒的使用X射线小角散射测定法测定的平均粒径不足1μm，烧结体12的上表面12b为向基材11侧凹陷的凹型形状。金属微粒优选为选自Ag及Cu中的一种以上的金属。
基本信息
专利标题 ：
导电性柱、接合结构、电子设备及导电性柱的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114586147A
申请号 ：
CN202080073466.8
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2020-09-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
山口亮太矢田真
申请人 ：
DIC株式会社
申请人地址 ：
日本东京板桥区坂下三丁目35番58号(邮递区号:174-8520)
代理机构 ：
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 ：
沈璐蓓
优先权 ：
CN202080073466.8
主分类号 ：
H01L23/488
IPC分类号 ：
H01L23/488 H01L21/60 H01R11/01 H05K1/09 H05K1/11 H05K3/40 H01B1/02 H01B5/02 H01B13/00 B22F1/10 B22F3/10
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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