接合基板以及接合基板的制造方法
公开
摘要
本发明得到一种提高氮化硅陶瓷基板与接合层的密接强度，具有高冷热耐久性但不产生迁移的接合基板。接合基板具备氮化硅陶瓷基板、铜板、接合层以及进入区域。铜板以及接合层被图案形成为给定的形状而配置在氮化硅陶瓷基板的主面上。接合层将铜板与氮化硅陶瓷基板的主面接合。进入区域由从基板主面连续并进入氮化硅陶瓷基板的内部直至3μm以上且20μm以下的深度的一个或多个进入部构成，包含银，在基板主面的每1mm2存在1个以上且30个以下的进入区域。
基本信息
专利标题 ：
接合基板以及接合基板的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114600237A
申请号 ：
CN202080074183.5
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2020-12-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
海老个濑隆增田泉贺来健
申请人 ：
日本碍子株式会社
申请人地址 ：
日本国爱知县名古屋市
代理机构 ：
北京汇思诚业知识产权代理有限公司
代理人 ：
王强
优先权 ：
CN202080074183.5
主分类号 ：
H01L23/498
IPC分类号 ：
H01L23/498 H01L21/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/498
引线位于绝缘衬底上的
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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